真空热压炉

真空热压烧结炉发热板经过真空调质处理,表面电镀处理长期使用不变形,不生锈。发热管采用不锈钢电热丝埋铸式,不氧化,耐撞击,安全可靠,升温迅速,使用寿命长等优点。产品上下板压合力可选:50KG~5000KG,应用领域:IGBT封装、led共晶、焊膏工艺、高洁净
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产品介绍

  真空热压烧结炉发热板经过真空调质处理,表面电镀处理长期使用不变形,不生锈。发热管采用不锈钢电热丝埋铸式,不氧化,耐撞击,安全可靠,升温迅速,使用寿命长等优点。产品上下板压合力可选:50KG~5000KG,应用领域:IGBT封装、led共晶、焊膏工艺、高洁净焊片工艺、激光二级管封装、混合集成电路封装、管壳盖板封装,mems及真空封装等。真空热压共晶机产品焊接空洞率低至3%以下,是工艺研发、由低至高产能生产的选择,是军工企业、研究院所、高校、航空航天等领域高端研发和生产的选择。

真空热压炉图片
真空热压炉图片

  真空热压炉产品特点

  1、一台真空热压烧结炉同时具有热压烧结、无压烧结、真空烧结、气氛保护烧结功能。采用优质硅钼棒作为发热体,在氧化气氛条件下最高烧结温度可达600℃,在真空和气氛条件下,长期使用温度可达600℃

  2、真空热压烧结炉具有占地面积小、人力劳动强度小、试验成本低,操作简单、维修方便的特点。

  3、真空热压烧结炉具有烧结速度快,一般情况下,从室温升到600℃,需要30-60分钟的时间。具有降温速度可控、单批次烧结时间段、减少制样烧结成本的特点。

  4、真空热压烧结炉热压烧结过程具有降低晶粒长大、样品致密化、晶体有序排列、烧结体品位高的现代烧结特征。

真空伺服热压烧结炉
真空伺服热压烧结炉

  真空热压烧结炉主要技术参数

  1、最高烧结温度:600℃

  2、氧化气氛下长期烧结温度:600℃

  3、真空气氛下长期热压烧结温度:600℃

  4、炉膛工作室尺寸:200×200mm,

  5、温度均匀性:±6℃

  6、温度稳定性:±1℃

真空伺服热压机部件介绍

真空伺服热压机部件介绍

  7、升温速度:1-10℃/min

  8、加热元件:电炉丝,

  9、测温元件:K型

  10、控温性能:可控硅控制,可编程序30段,PID参数自整定功能,手动/自动无干扰切换功能,超温报警功能,具有温度补偿和温度校正功能。控温仪表具有密码设定功能,参数设定密码控制。显示视窗:测量温度,设定温度双显示,加热功率光柱显示。

  13、炉体尺寸:约长900×宽700×1500(高)mm;

  控制器尺寸:约700×700×1500(高)mm

  14、电源配置:220V,9.6KW

真空焊接炉效果
真空焊接炉效果

  真空热压烧结炉压力机部分主要技术参数

  1、最大压力:100MPa

  2、压力显示:数字显示

  3、压头行程:200mm

  4、压头位移速度:手动操作

  5、压头直径:Φ50可选

  6、立柱间距:600mm

小型真空热压炉

  真空热压烧结炉真空性能:

  1、真空配置:双级机械泵

  2、真空泵极限真空度:6.67×10-1Pa,

  3、工作真空度:-0.098MPa

  4、真空测量:真空表

  5、真空连接管:真空波纹管

  6、充气压力:0.12MPa

  7、可在真空或通入保护气体情况下工作

焊接机抽真空泵
焊接机抽真空泵

  真空热压烧结炉炉体结构

  双层碳钢上炉盖循环水冷却结构,水平开门结构,约开口直径Φ200mm。

  这就是气氛烧结炉的六大主要性能

  气氛烧结炉以掺钼合金加热丝为加热元件,采用双层壳体结构和30段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用氧化铝多晶体纤维材料,双层炉壳间配有风冷系统,能快速升降温,可预抽真空并通入多种惰性气体气体,该炉具有温场均衡、表面温度低、升降温度速率快、节能等优点,是高校、科研院所、工矿企业做气氛保护烧结、气氛还原用的理想产品。

真空热压烧结炉

  气氛烧结炉的主要性能:

  1、减少了气氛中有害成分(水、氧、氮)对产品的不良影响。例如要使电解氢气中含水量降至一40℃的露点是相当困难的,而真空度只要达到133Pa就相当于含水量为一40℃的露点。而获得这样的真空度是并不困难的。

  2、对于不宜用还原性或惰性气体作保护气氛(如活性金属的烧结),或容易出现脱碳、渗碳的材料均可用真空烧结。

  3、真空可改善液相对固相的润湿性,有利于收缩和改善合金的组织。

  4、真空烧结有助于硅、铝、镁、钙等杂质或其氧化物的排除,起到净化材料的作用。

真空焊接炉
真空焊接炉

  5、真空有利于排除吸附气体、孔隙中的残留气体以及反应气体产物,对促进烧结后期的收缩有明显作用。如真空烧结的硬质合金的孔隙度要明显低于在氢气中烧结的硬质合金。

  6、真空烧结温度比气体保护烧结的温度要低一些,如烧结硬质合金时烧结温度可降低100~150℃。这有利于降低能耗和防止晶粒长大。

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